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| あ |
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アウトガス |
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outgassing
クリーンルームの構成材、また、クリーンルーム内で使用される電子部品・材料、部品用トレー・キャリア。
また、クリーンルーム用の装置・機器の中で使用されている材料・素材が回りの環境変化によってそれ自身が変質し、ガスとして一部外部へ放出される状態。 |
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アクセプタ |
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acceptor
半導体に添加されたとき、元の半導体構成元素に置き換わって格子の位置に取り込まれ、電子が1個不足する共有結合を形成することなより、p型半導体を構成する不純物。 |
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アクティブマトリクス方式 |
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画素の1つ1つにスイッチの役割をするアクティブ素子がついていて、制御したい画素を1つ1つ独立して制御できる方式(TFT、MIM)。 |
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アッシング |
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ashing
ICの製造において、パターンをウェーハ上に転写するためのリソグラフィ工程で、フォトレジストは「塗布〜露光〜現像」し、エッチングなどのマスクとして利用した後、不要になったフォトレジストを除去するため酸素プラズマなどで灰化し、除去すること。 |
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アッシング装置 |
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Ashing System
基板上のレジストを気相中で除去する装置。 |
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アニール |
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anneal
IC製造における熱処理の一種。具体的には、イオン中に融した導電型不純物の電気的活性化やプロセス誘起ダメージ回復のため真空中や窒素などの不活性ガス雰囲気中で行う熱処理や、Si-SiO2界面安定化のため水素あるいはフォーミングガス(H2とN2の混合ガス)中で行う熱処理。 |
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アモルファス |
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amorphous
非晶質とも呼ぶ。固体材料において、構成原子が規則正しい配列をもたない性質をいう。 |
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アモルファスシリコン |
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amorphous silicon
非晶質シリコンとも呼ばれ、規則的構造を有しない無定型型状態のシリコン。 |
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アモルファス半導体 |
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amorphous semiconductor
半導体の性質を示すアモルファス材料。 |
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アライナー |
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aligner
位置合わせ機構を持った装置・機器のこと。 |
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後工程 |
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assembly and testing process
ICの製造工程のうち、Siウェーハ上に多数のICを作り込む前工程に対し、ウェーハを1個1個のチップに切り分けた後、ICチップをパッケージに収納する以降の工程。後工程には、組立工程、仕上工程、選別工程、バーンイン工程、検査工程などが含まれる。 |
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| い |
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イオン打ち込み |
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ion implantation
イオン注入 |
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イオンプランタ |
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ion implantation
イオン注入装置 |
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イオン注入 |
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ion implantation
半導体に各種の不純物を添加する方法の一つ。 |
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イオン注入装置 |
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Ion Impanter
イオン注入を行うための装置。運動エネルギーをもったイオンを照射して、試料の物性を制御するための装置。イオン源、引出電極系、質量分析系、注入室等により構成される。 |
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インダストリアルクリーンルーム |
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industrial cleanroom
工業品の製造過程で用いるクリーンルームで、主に空気中における浮遊微小粒子が管理された空間。 |
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インラインガスフィルタ |
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Inline Gas Filter
ガス供給配管系中に設けられ、配管のガス中に存在する微小粒子を細かくするための精密フィルタ。 |
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インラインモニター |
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in-line monitor
製造工程における実際の製品の流れの中で行われるモニター。 |
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印加 |
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application
物体、素子などに外部から、電界、電圧、圧力などを加えること。 |
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| う |
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ウェットエッチング |
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wet etching
薬液を用いたエッチングで、プラズマガスを用いたドライエッチングに対し、湿式エッチングとも呼ばれる。 |
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ウェーハ |
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wafer
半導体材料を薄い円盤状に加工したもので、この上に各種のICが作られる。ウェーハにはシリコンウェーハと化合物半導体ウェーハがある。代表的なシリコンウェーハでは、シリコン単結晶の棒をスライスし、最終的に鏡面研磨仕上げしたものを使用する。 |
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| え |
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エアーカーテン装置 |
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air curtain
建物の出入口や搬入口などの開口部に設置し、厚い空気流の層を形成して、外気、異物および塵埃の侵入を遮断する設備。 |
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エアシャワー |
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air shower
クリーンルーム内で発生する塵埃のうち、人間および衣服などからの分も大きな割合を占めることが多い。このため、クリーンルームに入室する際に、人間および衣服に付着した塵埃（粒子状物質）を高速で清浄な空気のシャワーで強制的に吹き飛ばす装置である。
作業員又は衣服に付着している粒子状物質を強制的に吹き飛ばし除去するための装置で、浮遊微粒子管理区域の入口部分に設置するもの。 |
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エアフィルター |
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air filter
ろ過によって空気を清浄化する装置。 |
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エアロック |
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air lock
浮遊微粒子管理区域への出入り又は物の出し入れに際して、その区域の予圧を保つために設ける特殊な機構。 |
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エキシマレーザー |
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Excimer Laser
エキシマとは励起状態と基底状態にある同種または異種のふたつの分子が、ゆるやかに結合している状態を指す。
エキシマレーザは、このエキシマ状態から基底状態に戻るときに分子が発する光を増幅しレーザ発振させる。
特徴としては、他のレーザでは得にくい紫外域でのレーザ光が得られること、大出力化が可能なことである。
ICの製造工程おいて、マスクパターンをウェーハ上に転写するための露光工程で線源として用いられるレーザ光源。 |
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エックス線リソグラフ |
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X-ray lithography
波長が数〜数10ナノメートルのX線をパターン転写用の露光光源に用いたリソグラフィ。 |
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エッチャー |
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etcher
レジストパターン通りにレジストの下地を削り取る装置。 |
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エッチング |
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etching
蝕刻法のことで、半導体・絶縁物・導電体の各種材利用あるいはそれらの膜を除去すること。 |
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エッチング装置 |
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Etching System
ウェーハまたはウェーハ表面に形成された薄膜の全面または特定した場所を必要な厚さだけ食刻する装置。 |
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エピタキシ |
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epitaxy
「上」を意味するエピ(epi)と「配列」を意味するタキシス(taxis)の合成語で、下地の結晶基板上にそれに倣って同じ結晶構造を有する膜を気相成長法(CVD)などを用いて堆積すること。 |
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エピタキシャル成長 |
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Epitaxial Glowth
エピタキシ法により膜を成長すること。 |
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エピタキシャル成長装置 |
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Epitaxial Glowth System
基板の結晶性を受け継いで単結晶層を成長させる装置。成長雰囲気により、分子線エピタキシャル成長装置、気相エピタキシャル成長装置、液相エピタキシャル成長装置、固相エピタキシャル成長装置、に大別される。 |
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エレクトロルミネッセンス |
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electro-luminescence
ELと略称される。材料により無機ELと有機ELがある。無機ELは、蛍光体を含む膜に交流高電界を加えたとき起きる電子の衝突励起により生じる発光。有機ELは陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が有機発光層で再結合して分子を励起させ発光する。 |
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液晶 |
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liquid crystal
液体であるが結晶の性質を持つ有機高分子。細長い形状の分子が規則正しく並んでいる。電界や熱により分子の並びが変わる性質を利用して、文字、図形や温度の表示に応用されている。 |
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液晶エピタキシ |
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liquid phase epitaxy
LPEと略称。基板結晶の表面に薄膜結晶を成長させる技術の一種。過飽和溶液から基板結晶費用面に結晶成分の溶質を析出させる。 |
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液晶注入装置 |
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TFT基板とカラーフィルタ基板を張合わせた空セル（液晶材料の入っていない液晶ディスプレイ）に液晶注入口（空セルに設けられた約0.2ミクロンの穴）から液晶材料を入れ液晶注入後、エポキシ系樹脂で液晶注入口を封止する工程を行う装置。 |
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遠紫外線リソグラフィー |
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deep ultra-violet lithography
ICの製造において、ウェーハ上にパターン転写するための露光工程の光源として用いられる波長が200−300nm領域の遠紫外線を利用したリソグラフィー。 |
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| お |
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オージェ電子分光 |
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Auger electron spectroscopy
ある値以上のエネルギーを有する電子線を物質に照射したとき物質の内殻電子が放出され空孔が生じ、そこに外殻電子が落ち込んでエネルギーを放出する。このエネルギーを外殻にある他の電子が受け取って物質から飛び出すことがあり、この現象をオージェ電子という。オージェ電子分光では、オージェ電子のエネルギーを分析することで、物質に含まれる原子の種類や結合状態を調べる。 |
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オンサイトプラント |
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on-site plant
工場敷地内にある特定のプラント。 |
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汚染 |
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contamination
対象物に何らかの物質が付着、混入、発生することなどによって、対象物が本来もっている機能、性能に好ましくない影響が与えられている状態。 |
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汚染物質 |
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Contaminants
対象物に付着、混入、発生することなどによって汚染を引き起こす物質。 |
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